Внутренняя контактная разность потенциалов появляется в двойном электрическом слое, образующемся в

Внутренняя контактная разность потенциалов появляется в двойном электронном слое, образующемся в приконтактной области и нарекаемом контактным слоем - толщина контактного слоя в металлах сочиняет приблизительно _ м, т.е. соизмерима с междоузельными расстояниями в решетке металла
nbsp;(*ответ*) 10-10
nbsp;10-8
nbsp;10-9
nbsp;10-11
nbsp;10-12
nbsp;10-7
Все энергетические уровни акцепторного полупроводника подняты относительно уровней донорного полупроводника на вышину, одинаковую e, при этом подъем происходит на толщине
nbsp;(*ответ*) двойного слоя d
nbsp;слоя d
nbsp;тройного слоя d
nbsp;учетверенного слоя d

Глубина проникновения магнитного поля в сверхпроводниках (толщина слоя, в котором индукция поля отлична от нуля) является _ черт(ой) сверхпроводника
nbsp;(*ответ*) одной из основных
nbsp;самой значимой
nbsp;одной из системных
nbsp;главной квантовой
Для происхождения долгого свечения кристаллофосфор обязан содержать также центры захвата, или ловушки для электронов, представляющие собой незаполненные локальные уровни, лежащие поблизости _ зоны проводимости
nbsp;(*ответ*) дна
nbsp;поверхности
nbsp;центра
nbsp;радиуса
Для охраны астронавтов от радиации нужно магнитное поле, искривляющее линию движения заряженных частиц и уводящее радиацию. С этой целью на космическом корабле обязана находиться установка, творящая магнитную защиту с поддержкою сверхпроводящих
nbsp;(*ответ*) соленоидов
nbsp;сплавов
nbsp;металлов
nbsp;проводников
nbsp;полупроводников
Для производства транзисторов употребляются германий и кремний, так как они характеризуются большой
nbsp;(*ответ*) механической прочностью
nbsp;(*ответ*) хим устойчивостью
nbsp;(*ответ*) подвижностью носителей тока
nbsp;способностью усиливать напряжение
nbsp;выпрямляющей способностью
Для создания современной теории сверхпроводимости и внедрения этого явления в науке и технике великую роль сыграло исследование параметров _ сверхпроводников
nbsp;(*ответ*) магнитных
nbsp;электромагнитных
nbsp;сопротивления
nbsp;электропроводности
nbsp;индукционных
Для электронов внутренних оболочек атомов возможность туннельного перехода электрона от одного атома к иному оказывается очень малой - это связано с убавлением прозрачности потенциального барьера, в итоге чего частота просачивания электрона через потенциальный барьер становится
nbsp;(*ответ*) ничтожно малой
nbsp;близкой к нулю
nbsp;веской
nbsp;приметной
До недавнешнего медли предполагалось, что квантование происходит только в микромире и характерно процессам в
nbsp;(*ответ*) атомах
nbsp;(*ответ*) молекулах
nbsp;(*ответ*) атомных ядрах
nbsp;полупроводниках
nbsp;диэлектриках