Существенное уменьшение противодействия полупроводников при нагревании объясняется:
А) повышением числа свободных

1. Скорость дрейфа носителей заряда, к примеру, электронов, зависит, до этого всего, от напряжённости электронного поля в полупроводнике
nbsp;
где е заряд электрона, Е напряжённость электронного поля, время свободного движения, me масса электрона. При нагревании образчика, характеристики внешнего поля не меняются, потому роста значения дрейфовой скорости не происходит.
2. При нагревании вещества, в согласовании с традиционной электродинамикой, возрастают амплитуды колебаний частей кристаллической решётки, что содействует освобождению связанных электронов и переходе их в разряд свободных.