Чем отличается структура кристалла SiF4 от структуры кристаллов Si и F2?

Электрическая формула 14Si : 1s2 2s2 2p6 3s2 3h2. Кремний является р-элементом, типичным неметаллом, имеет на внешнем энергетическом уровне 4 валентных е-. При возбуждении один 3s е- перебегает на 3р-подуровень (на свободную 3р-орбиталь), и у атома Si возникает четыре неспаренных е-. При образовании кристалла образуется четыре молекулярных орбитали. 2/3 молекулярных орбитали занимают валентные е- (по два электрона на каждой молекулярной орбитали), образуя валентную зону. Свободные молекулярные орбитали образуют зону проводимости. Данные молекулярные орбитали владеют более высочайшим уровнем энергии. При передаче кристаллу энергии (термического облучения), часть валентных электронов распаривается, покидает валентную зону, переходит в зону проводимости. На их месте образуется дырка. Когда кристалл помещают в электронное поле, к аноду наблюдается дрейф электронов, к катоду. Таким образом, кристалл полупроводник, владеющий собственной электронно-дырочной проводимостью.

Электронная формула 9F : 1s2 2s2 2p5 обычный неметалл, р-элемент, на наружном энергетическом уровне имеет только один неспаренный е-, что недостаточно для образования прочных ковалентных кристаллов. Атомы фтора связаны ковалентной неполярной связью в двухатомные молекулы, которые образуют молекулярный кристалл за счет сил межмолекулярного взаимодействия. Он непрочен, просто возгоняется, владеет низкой температурой плавления, изолятор.

Разница в электроотрицательности меж атомами Si и F ОЭО = 2,2, образуются тетраэдрические симметричные молекулы тетрафторида кремния, в каждой из которых 4 атома фтора связаны ковалентными полярными связями с центральным ат. кремния, в рез. за счет сил межмолекулярного взаимодействия появляется молекулярный кристалл. Он непрочен, просто сублимируется, владеет низкой температурой плавления, изолятор. Температура плавления 90,2C, что намного выше темп. пл. фтора (219,62C); это объясняется великим эл. облаком и, как следствие, более крепкими Ван-дер-Ваальсовами силами притяжения между молекулами в кр. решетке.