При затворяющем напряжении наружное электрическое поле препятствует движению главных носителей тока

При замыкающем напряжении наружное электронное поле препятствует движению главных носителей тока к границе p-n-перехода и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках мала - это приводит к
nbsp;(*ответ*) повышению толщины контактного слоя, обедненного основными носителями тока
nbsp;повышению толщины контактного слоя, обедненного неосновными носителями тока
nbsp;увеличению толщины контактного слоя, обогащенного главными носителями тока
nbsp;уменьшению толщины контактного слоя, обогащенного неосновными носителями тока
При контакте металла с полупроводником р-типа замыкающий слой появляется при Амlt;А, так как в контактном слое полупроводника наблюдается излишек отрицательных ионов акцепторных примесей и недочет основных носителей тока - _ в валентной зоне
nbsp;(*ответ*) дырок
nbsp;электронов
nbsp;фотонов
nbsp;фононов
При переходе хим частей в сверхпроводящее состояние во наружном магнитном поле скачком меняются
nbsp;(*ответ*) теплопроводность
nbsp;(*ответ*) теплоемкость
nbsp;электроемкость
nbsp;противодействие
При поглощении атомом активатора фотона с энергией h электрон с примесного уровня переводится в зону проводимости, свободно перемещается по кристаллу до тех пор, пока не повстречается с ионом активатора и не рекомбинирует с ним, перейдя опять на примесный уровень. _ сопровождается излучением кванта люминесцентного свечения
nbsp;(*ответ*) Рекомбинация
При возникновении электрона в зоне проводимости в валентной зоне непременно возникает
nbsp;(*ответ*) дырка
nbsp;положительный заряд
nbsp;отрицательный заряд
nbsp;энергия
nbsp;возбуждение
При температурах более больших, чем критичная температура перехода в сверхпроводящее состояние, в образчике, помещенном во наружнее магнитное поле, как и во всяком металле индукция магнитного поля снутри будет
nbsp;(*ответ*) отлична от нуля
nbsp;стремиться к нулю
nbsp;недалёка к нулю
nbsp;существенна отлична от нуля
При температурах, при которых примесные атомы оказываются стопроцентно истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми
nbsp;(*ответ*) располагается в центре запрещенной зоны, как в своем полупроводнике
nbsp;располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем
nbsp;имеет тенденцию сдвигаться вниз к собственному предельному положению в центре нелегальной зоны, характерному для собственного полупроводника
nbsp;размещается в центре меж дном зоны проводимости и донорным уровнем
Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, именуются
nbsp;(*ответ*) акцепторами
nbsp;донорами
nbsp;реципиентами
nbsp;репродуцентами
Примесная проводимость обоснована примесями, а также недостатками типа избыточных атомов и механическими недостатками - наличие в полупроводнике примеси _ его проводимость
nbsp;(*ответ*) значительно изменяет
nbsp;значительно не изменяет
nbsp;очень значительно изменяет
nbsp;практически не изменяет
Принцип механического отталкивания положен в базу творенья электронных машин, КПД которых благодаря свойствам сверхпроводников, недалёк к _%
nbsp;(*ответ*) 100
nbsp;90
nbsp;95
nbsp;99
Проводимость полупроводников всегда является возбужденной, т.е. появляется только под деяньем наружных причин, а именно
nbsp;(*ответ*) температуры
nbsp;(*ответ*) облучения
nbsp;(*ответ*) сильных электронных полей
nbsp;квазичастиц
nbsp;валентной зоны