При нагревании на несколько градусов противодействие полупроводника без примесей уменьшилось в

При нагревании на несколько градусов сопротивление полупроводника без примесей уменьшилось в 100 раз. Это разъясняется тем, что
1) nbsp;приблизительно в 100 раз увеличилась скорость направленного движения свободных носителей заряда
2) nbsp;примерно в 100 раз возросла концентрация свободных носителей заряда
3) nbsp;приблизительно в 10 раз возросли и концентрация свободных носителей заряда, и скорость их направленного движения
4) nbsp;приблизительно в 1000 раз возросла концентрация свободных носителей и в 10 раз уменьшилась скорость их направленного движения

Задать свой вопрос
1 ответ

Электронное противодействие

, оставишь ответ?
Имя:*
E-Mail:


Последние вопросы

Добро пожаловать!

Для того чтобы стать полноценным пользователем нашего портала, вам необходимо пройти регистрацию.
Зарегистрироваться
Создайте собственную учетную запить!

Пройти регистрацию
Авторизоваться
Уже зарегистрированны? А ну-ка живо авторизуйтесь!

Войти на сайт