Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами - дырками, именуется _ проводимостью
nbsp;(*ответ*)

Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами - дырками, называется _ проводимостью
nbsp;(*ответ*) дырочной
nbsp;электрической
nbsp;отрицательной
nbsp;положительной
Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется _ проводимостью
nbsp;(*ответ*) электрической
nbsp;дырочной
nbsp;отрицательной
nbsp;положительной
Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, при этом при небольшой толщине базы веская часть инжектированных дырок добивается коллектора - здесь дырки захватываются полем, действующим снутри перехода, вследствие чего меняется _ коллектора
nbsp;(*ответ*) ток
nbsp;напряжение
nbsp;противодействие
nbsp;проводимость
Протекание тока в цепи эмиттера обосновано, в главном, движением _ (они являются основными носителями тока), и сопровождается их впрыскиванием - инжекцией - в область базы
nbsp;(*ответ*) дырок
nbsp;электронов
nbsp;фотонов
Рассредотачивание электронов по разным квантовым состояниям покоряется принципу _, согласно которому в одном состоянии не может быть 2-ух схожих (с одинаковым комплектом четырех квантовых чисел) электронов, они должны отличаться какой-то чертой, к примеру направлением спина
nbsp;(*ответ*) Паули
Разглядывая постоянный диапазон частот осцилляторов, _ показал, что главной вклад в среднюю энергию квантового осциллятора вносят колебания низких частот, подходящих упругим волнам
nbsp;(*ответ*) П. Дебай
nbsp;А. Эйнштейн
nbsp;П. Капица
nbsp;Л. Ландау
nbsp;Н. Боголюбов
nbsp;М. Планк
Расчеты демонстрируют, что в случае полупроводников n-типа уровень Ферми при _ К размещен посередине меж дном зоны проводимости и донорным уровнем
nbsp;(*ответ*) 0
nbsp;10
nbsp;5
nbsp;15
nbsp;20
Рост примесной проводимости полупроводника с увеличением температуры обусловлен в главном ростом _ примесных носителей
nbsp;(*ответ*) концентрации
nbsp;энергии
nbsp;проводимости
nbsp;мощности
Рост примесной проводимости полупроводника с увеличением температуры обусловлен в главном ростом концентрации примесных носителей либо из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника р-типа - в итоге возникает примесная фотопроводимость
nbsp;(*ответ*) являющаяся чисто электрической для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа
nbsp;которая размещается посередине нелегальной зоны, как в собственном полупроводнике
nbsp;которая располагается в центре меж потолком валентной зоны и акцепторным уровнем
nbsp;которая располагается в центре меж дном зоны и донорным уровнем
С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнимо слабенькому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону - зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется температурной зависимостью _ тока в нем
nbsp;(*ответ*) концентрации носителей
nbsp;силы носителей
nbsp;мощности носителей
nbsp;уровней носителей