как можно изменять тип носителя зарядов в полупроводниках

Тип носителя зарядов изменяется путем добавок атомов с наименьшим либо великим числом валентных электронов (электронов во наружном слое) по сравнению с атомами главного полупроводника. К примеру в кремний (4 валентных электрона) можно ввести мышьяк либо фосфор (5 валентных электронов)
Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, сменяют атом кремния в кристаллической решетке). Но 5-ый электрон атома мышьяка или фосфора  оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является негативно заряженный электрон. Получаем электрический полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный).   Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий либо галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи  с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у примыкающих атомов кремния, вследствие чего появляется позитивно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник либо p-полупроводник  (от positive - положительный)