Найти ширину нелегальной зоны полупроводника,если его проводимость при нагревании от 0

С увеличением температуры проводимость полупроводника резко вырастает, т. к. увеличивается концентрация носителей тока. Температурная зависимость электропроводимости полупроводников дается соотношением: =0exp(-Е/2КТ), где К-пост Больцмана, Е-ширина запрещенной зоны, Т-безусловная ширина, 0-проводимость при н.у.(р0=105Па, Т0=217,16 К)