Определить ширину нелегальной зоны германия(Ge) при T=300К?

Дано:

Полупроводник 1 (Ge) собственный:

Нелегальная зона Wg =0,785эВ;

Подвижности е(Ge) = 3900 см2В-1с-1;

h(Ge) = 1900 см2В-1с-1;

Температура T = 300 K;

Полупроводник 2 (Si) примесный (n-типа):

Нелегальная зона Wg =1,21эВ;

Подвижности е(Ge) = 1200 см2В-1с-1;

h(Ge) = 500 см2В-1с-1;

Температура T = 300 K;

(Ge) = (n-Si).