Приготовить небольшое извещенье на тему:"Внедрение полупроводниковых устройств в

Полупроводниковые приборы разные по конструкции, технологии производства и функциональному назначению электрические приборы, основанные на использовании параметров полупроводников. К полупроводниковым устройствам относят также полупроводниковые микросхемы, которые представляют собой цельные оконченные функциональные узлы (усилитель, триггер, набор частей), все компоненты которых делаются в едином технологическом процессе. 
Полупроводники  вещества, электрическая проводимость которых имеет промежуточное значение меж проводимостью проводников и диэлектриков. К полупроводникам относится широкая группа природных и синтетических веществ разной химической природы, жестких и водянистых, с различными механизмами проводимости. Более многообещающими полупроводниками в современной технике являются так нарекаемые электрические полупроводники, проводимость которых обусловлена движением электронов. Но в отличие от металлических проводников концентрация свободных электронов в полупроводниках очень малюсенька и подрастает с повышением температуры, чем разъясняется их пониженная проводимость и специфичная зависимость от удельного противодействия и температуры: если у металлических проводников при нагревании электрическое противодействие увеличивается, то у полупроводников оно понижается. Повышение концентрации свободных электронов с повышением температуры разъясняется тем, что с увеличением интенсивности термических колебаний атомов полупроводников все большее количество электронов срывается с внешних оболочек этих атомов и получает возможность перемещаться по объему полупроводника. В переносе электричества через полупроводники, кроме свободных электронов могут принимать роль места, освободившиеся от перешедших в свободное состояние электронов так называемые дырки. 
Потому и свободные электроны и дырки нарекают носителями электрического заряда, причём дырке приписывают положительный заряд, одинаковый заряду электрона. В идеальном полупроводнике образование свободных электронов и дырок происходит одновременно, парами, а потому концентрации электронов и дырок схожи. Введение же в полупроводник определенных примесей способно привести к повышению концентрации носителей одного знака и сильно повысить проводимость. Это происходит при условии, что на наружной оболочке атомов примеси находится на один электрон больше (донорные примеси) либо на один электрон меньше (акцепторные примеси), чем у атомов исходного полупроводника. В первом случае примесные атомы (доноры) просто отдают излишний электрон, а во втором (акцепторы) забирают недостающий электрон от атомов полупроводника, творя дырку. Для более распространённых полупроводников (кремния и германия), являющихся четырёхвалентными хим элементами, донорами служат пятивалентные вещества (фосфор, мышьяк, сурьма), а акцепторами трехвалентные (бор, алюминий, индий). В зависимости от преобладающего типа носителей примесные полупроводники разделяют на полупроводники электронного (п-типа) и дырочного (р-типа). 
Зависимость электропроводимости полупроводника от различных наружных воздействий служит основой разнородных технических приборов.