Исследование биполярных транзисторовЗадание 1

в таблице после 8 и 10, идет 20

(не забуть поставить)ИССЛЕДОВАНИЕ биполярных транзисторовов (EWB)

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: ознакомление с чертами биполярного транзистора, с методиками их определения для разных схем включения, получение навыков практического исследования вольт-амперных черт транзистора и определения его характеристик.

1. Основные понятия и расчетные соотношения
1.1.ПРИНЦИП РАБОТЫ, Свойства И

ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА

Транзистором величается трехэлектродный полупроводниковый устройство, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода. Транзистор представляет собой монокристаллическую пластинку полупроводника, в которой с поддержкою особенных технологических приемов сделаны три области, две из их имеют одинаковый тип электропроводности и разбиты меж собой областью с другой электропроводностью. Эта средняя область именуется базой, а две иные, последние эмиттером и коллектором.

Эмиттер исполняет инжекцию (т.е. введение) неосновных носителей зарядов в базу, а коллекторэкстракцию (сбор) носителей. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор имеют электропроводность р-типа относятся к p-n-pтипу. Если же база ртипа, а коллектор и эмиттер n-типа, то это транзистор n-p-n-типа (рис.1.1). Так, если коллектор транзистора p-n- p-типа подключается к отрицательному полюсу источника, то коллектор транзистора n-p-n-типа к положительному. В условных графических изображениях эмиттер изображается в виде стрелки, которая показывает прямое направление тока эмиттерного перехода.Принцип работы транзисторов обоих типов схож, различие заключается лишь в том, что в транзисторе n-p-nтипа через базу к коллектору движутся электроны, инжектированные эмиттером, а в транзисторе p-n-pтипадырки. Для этого к электродам транзистора подключают источники тока обратной полярности.

Принцип работы биполярного транзистора осмотрим на примере транзистора p-n-p типа включенного по схеме с (ОБ) общей базой (рис.1.2). Меж р- и n-областями появляются p-n переходы. Переход меж эмиттером и базой величается эмиттерным (ЭП), а переход меж коллектором и базой - коллекторным (КП). Как показано на рис.1.2, коллекторная цепь транзистора подключается к источнику э.д.с.-Екб т.е. КП сдвинут в оборотном направлении. В коллекторном переходе напряженность поля под деяньем Екб вырастает. Это приводит к возникновению незначительного оборотного тока Iко в коллекторной цепи, обусловленного движением неосновных носителей зарядов. Этот ток значительно подрастает с повышением температуры, потому его именуют термическим током коллектора Iко.

Эмиттерный переход наружным источником напряжения смещен в прямом направлении (ЭП, рис.1.2). Напряженность поля эмиттерного перехода при этом убавляется. Через эмиттерный переход происходит инжекция дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. В цепи эмиттера появится ток, одинаковый сумме токов, обусловленных электрической Iэ(n) и дырочной Iэ(p) электропроводностями: