Полупроводник n-типа:
(*ответ*) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются

Полупроводник n-типа:
(*ответ*) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются электроны
nbsp;полупроводник с 2-мя устойчивыми режимами работы
nbsp;полупроводник с одним выпрямляющим электронным переходом, имеющий два вывода
nbsp;полупроводник, главным носителем заряда в котором являются дырки
Полупроводниковая схема:
(*ответ*) интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
nbsp;интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения производятся на поверхности диэлектрика
nbsp;интегральная схема, которая содержит составляющие и отдельные кристаллы полупроводника
nbsp;микроэлектронное изделие, исполняющее определённую функцию преображения и обработки сигнала
Полупроводниковый диодик, напряжение на котором при прямом включении малюсенько зависит от тока, называется
(*ответ*) стабистором
nbsp;варикапом
nbsp;диодом Шоттки
nbsp;туннельным диодиком
Полупроводниковый диодик, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением, - это
(*ответ*) варикап
nbsp;стабилитрон
nbsp;стабистор
nbsp;диодик Шоттки
При инверсном режиме работы транзистора
(*ответ*) коллекторный переход сдвинут в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
nbsp;коллекторный и эмиттерный переходы смещены в оборотном направлении
nbsp;коллекторный и эмиттерный переходы сдвинуты в прямом направлении
nbsp;коллекторный переход смещен в оборотном направлении, а эмиттерный - в прямом
При прямом включении p-n-перехода:
(*ответ*) возможный барьер убавляется на величину напряжения, дрейфовый ток убавляется, а диффузный увеличивается
nbsp;потенциальный барьер убавляется на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи увеличатся
nbsp;возможный барьер возрастет на величину напряжения, дрейфовый и диффузный токи увеличатся
nbsp;возможный барьер возрастет на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи уменьшатся
Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) конфигурации давления - из перечисленного
(*ответ*) 2, 3
nbsp;3, 4
nbsp;1, 2
nbsp;1, 4
Программно-управляемое устройство, построенное на одной либо нескольких СБИС, исполняющее процесс обработки информации и правящее им, именуется
(*ответ*) процессором
nbsp;арифметико-логическим устройством
nbsp;многофункциональным преобразователем инфы
nbsp;контроллером
Работа, совершаемая силами поля по переносу единичного положительного заряда, называется
(*ответ*) потенциал
nbsp;переход
nbsp;пробой
nbsp;инжекция
Режим работы транзистора, подходящий токам коллектора, сравнимым с оборотным током коллектора, нарекают
(*ответ*) режимом отсечки
nbsp;ключевым
nbsp;режимом насыщения
nbsp;активным
Режим, соответствующий второму квадранту черт транзистора (uкбlt;0), называют
(*ответ*) режимом насыщения
nbsp;главным
nbsp;активным
nbsp;режимом отсечки
Режим, подходящий первому квадранту черт транзистора (uкбgt;0, iкgt;0), нарекают
(*ответ*) активным
nbsp;главным
nbsp;режимом насыщения
nbsp;режимом отсечки