В выпрямительных диодах употребляется свойство однобокой проводимости p-n перехода:
(*ответ*) да

В выпрямительных диодиках употребляется свойство однобокой проводимости p-n перехода:
(*ответ*) да
nbsp;нет
В зоне проводимости при нуле градусов Цельсия могут находиться электроны:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Варикапы - полупроводниковые диоды, работающие в режиме электронного пробоя:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Варикапы работают в режиме электрического пробоя:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Вероятность нахождения дырки на том либо ином энергетическом уровне при данной температуре можно определить с поддержкою распределения Ферми-Дирака:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Время, в течение которого оборотный ток изменяется от максимального значения до установившегося, является временем жизни носителей заряда:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Диод, сконструированный на базе вырожденного полупроводника, является туннельным:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе, является диффузионной
(*ответ*) нет
nbsp;да
Изменение диффузного тока происходит по экспоненциальному закону:
(*ответ*) да
nbsp;нет
На вышину потенциального барьера влияет концентрация примесей:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Область внутри монокристалла полупроводника на границе раздела его 2-ух сред с разным типом примесной электропроводности можно именовать p-n переходом:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Перемещение неосновных носителей в направлении поля p-n перехода, которое для их является ускоряющим, можно назвать диффузионным током:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Полупроводники могут быть водянистыми:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Возможный барьер, полученный на контакте металл - полупроводник, является барьером Шотки:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Примеси, атомы которых способны при возбуждении принять валентные электроны примыкающих атомов, создав в их дырку, относятся к донорным примесям:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Процесс воссоединения электрона и дырки является процессом генерации:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня величается энергией ионизации (активации) акцепторов:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Электронный пробой сопровождается разрушением кристаллической структуры полупроводника:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей, величается примесной электропроводностью:
(*ответ*) нет
nbsp;да
В VLG-транзисторах с индуцированным каналом канал создается в процессе производства:
(*ответ*) нет
nbsp;да
В газодинамических лазерах происходит возбуждение среды в результате преобразования внутренней энергии в световую:
(*ответ*) да
nbsp;нет

Задать свой вопрос

1 ответ
Правильные вопросы выделены по тесту
тест теснее прошел свою проверку
полагаюсь на плюс 1 глас к ответу, если тест посодействовал
, оставишь ответ?
Имя:*
E-Mail:


Последние вопросы
Имеются три конденсатора емкостью С1=1мкФ, С2=2мкФ и С3=3мкФ. Какую наименьшую емкость

Физика.

Из точки м выходят 3 луча MP MN и MK причём

Геометрия.

выпиши в свою тетрадь те правила этикета которые тебе не были

Разные вопросы.

Анна хорошо учится у неё много подруг свободное от учёбы время

Обществознание.

10) Килограмм конфет дороже килограмма печенья на 52 р. За 8

Математика.

Во сколько раз число атомов кислорода в земной коре больше числа

Химия.

Составить монолог от имени дневника двоечника 7-10 предложений

Русский язык.

Рассматривая литературный язык как сложное взаимодействие книжного языка и разговорного,В.И.Чернышёв горячо

Разные вопросы.

Арабы входят в __________________ групп народов. Местом расселения арабов с незапамятных

Разные вопросы.

Грузовой автомобиль марки краз за одну поездку может доставить 7.500 кирпичей

Математика.

Добро пожаловать!

Для того чтобы стать полноценным пользователем нашего портала, вам необходимо пройти регистрацию.
Зарегистрироваться
Создайте собственную учетную запить!

Пройти регистрацию
Авторизоваться
Уже зарегистрированны? А ну-ка живо авторизуйтесь!

Войти на сайт