В выпрямительных диодах употребляется свойство однобокой проводимости p-n перехода:
(*ответ*) да

В выпрямительных диодиках употребляется свойство однобокой проводимости p-n перехода:
(*ответ*) да
nbsp;нет
В зоне проводимости при нуле градусов Цельсия могут находиться электроны:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Варикапы - полупроводниковые диоды, работающие в режиме электронного пробоя:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Варикапы работают в режиме электрического пробоя:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Вероятность нахождения дырки на том либо ином энергетическом уровне при данной температуре можно определить с поддержкою распределения Ферми-Дирака:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Время, в течение которого оборотный ток изменяется от максимального значения до установившегося, является временем жизни носителей заряда:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Диод, сконструированный на базе вырожденного полупроводника, является туннельным:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе, является диффузионной
(*ответ*) нет
nbsp;да
Изменение диффузного тока происходит по экспоненциальному закону:
(*ответ*) да
nbsp;нет
На вышину потенциального барьера влияет концентрация примесей:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Область внутри монокристалла полупроводника на границе раздела его 2-ух сред с разным типом примесной электропроводности можно именовать p-n переходом:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Перемещение неосновных носителей в направлении поля p-n перехода, которое для их является ускоряющим, можно назвать диффузионным током:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Полупроводники могут быть водянистыми:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Возможный барьер, полученный на контакте металл - полупроводник, является барьером Шотки:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Примеси, атомы которых способны при возбуждении принять валентные электроны примыкающих атомов, создав в их дырку, относятся к донорным примесям:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Процесс воссоединения электрона и дырки является процессом генерации:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня величается энергией ионизации (активации) акцепторов:
(*ответ*) да
nbsp;нет
Электронный пробой сопровождается разрушением кристаллической структуры полупроводника:
(*ответ*) нет
nbsp;да
Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей, величается примесной электропроводностью:
(*ответ*) нет
nbsp;да
В VLG-транзисторах с индуцированным каналом канал создается в процессе производства:
(*ответ*) нет
nbsp;да
В газодинамических лазерах происходит возбуждение среды в результате преобразования внутренней энергии в световую:
(*ответ*) да
nbsp;нет

Задать свой вопрос

---