Тоннельным диодиком называется полупроводниковый диод
(*ответ*) в котором употребляется явление тоннельного

Тоннельным диодом именуется полупроводниковый диодик
(*ответ*) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении
nbsp;в котором употребляется явление тоннельного пробоя при включении в оборотном направлении
nbsp;предназначенный для работы в качестве конденсатора
nbsp;в котором употребляется не p-n переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник
Точечные диоды используют на
(*ответ*) больших и сверхвысоких частотах
nbsp;низких и средних частотах
nbsp;низких частотах
nbsp;средних и высоких частотах
Точечные диоды можно использовать для выпрямления _ переменных токов
(*ответ*) малых
nbsp;больших
nbsp;малых низкочастотных
nbsp;огромных высокочастотных
Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от
(*ответ*) 4 до 640 K
nbsp;140 до 640 K
nbsp;4 до 240 K
nbsp;140 до 340 K
Туннельные диоды обычно работают на участке _ дифференциальным противодействием
(*ответ*) ВАХ с отрицательным
nbsp;ФЧХ с отрицательным
nbsp;ВАХ с положительным
nbsp;ФЧХ с положительным
Туннельный пробой имеет место в (при)
(*ответ*) р-n-переходах с низкоомной базой
nbsp;р-n-переходах с высокоомной базой
nbsp;разогреве полупроводника в области р-n-перехода и подходящем увеличении удельной проводимости
nbsp;отрицательном дифференциальном противодействии
Туннельным диодиком называют полупроводниковый устройство
(*ответ*) сконструированный на базе вырожденного полупроводника
nbsp;с одним электрическим переходом и 2-мя омическими контактами с 2-мя выводами
nbsp;сконструированный на базе полупроводника с низким содержанием примеси
nbsp;из начального материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади
Усиление мощности входного сигнала и убавленье тока nbsp;при работе транзистора достигается методом
(*ответ*) уменьшения толщины базы
nbsp;включения инверсного режима работы транзистора
nbsp;смещение перехода в прямом направлении
nbsp;вплавления примесей
Усилительные характеристики биполярных транзисторов обоснованы явлениями инжекции
(*ответ*) и экстракции неосновных носителей заряда
nbsp;основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда
nbsp;неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда
nbsp;главных носителей заряда
Фотодиоды - это полупроводниковые фотоэлектрические приборы, имеющие
(*ответ*) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
nbsp;два p-n-перехода
nbsp;p-n-переход, модифицирующий электронную энергию в энергию некогерентного светового излучения
nbsp;два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим противодействием
Фотоприемники - это
(*ответ*) приборы, в которых под деяньем оптического излучения происходят конфигурации, дозволяющие найти это излучение и измерить его свойства
nbsp;приборы, преобразующие наружные физические воздействия в электронные сигналы
nbsp;электронные управляемые приборы для систем зрительного отображения инфы
nbsp;фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом меж двумя типами полупроводника либо меж полупроводником и металлом
Фоторезисторы - полупроводниковые приборы, имеющие
(*ответ*) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электронным противодействием
nbsp;p-n-переход и два контакта, деянье которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта
nbsp;два p-n-перехода
nbsp;p-n-переход, преобразующий электронную энергию в энергию некогерентного светового излучения