Наибольшее оборотное напряжение на переходах интегральных схем - это
(*ответ*) наивеличайшее

Наибольшее оборотное напряжение на переходах интегральных схем - это
(*ответ*) наивеличайшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
nbsp;меньшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается данное значение электронных характеристик ИС
nbsp;меньшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в иное
nbsp;величайшее значение напряжения неизменного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Малые интегральные схемы содержат до _ на кристалле
(*ответ*) 100 частей и компонент
nbsp;1000 частей
nbsp;10 000 частей
nbsp;1 000 000 частей
Минимальное прямое напряжение на переходах интегральных схем - это
(*ответ*) меньшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается данное значение электронных параметров ИС
nbsp;наименьшее значение напряжения неизменного тока на входе, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в иное
nbsp;величайшее значение напряжения неизменного тока на входе, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в другое
nbsp;наивеличайшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
Многоэлементные фотоприемники - фотоприемники
(*ответ*) с высокой разрешающей способностью
(*ответ*) с высочайшей фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области
(*ответ*) предназначенные для восприятия световых образов
nbsp;световой поток либо яркость которого является функцией электронного сигнала, поступившего на его вход
Молекулярные и ионные пленки, шунтирующие р-n-переход, являются предпосылкой
(*ответ*) подавляющей части поверхностных утечек в оборотном токе
nbsp;подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе
nbsp;лавинного пробоя
nbsp;туннельного пробоя
На транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, входное противодействие, сравнительно
(*ответ*) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ
nbsp;меньше, чем в схеме с ОБ
nbsp;меньше, чем в схеме с ОК
nbsp;малюсенько, но еще больше, чем в схеме с ОК
Напряжение логического нуля интегральных схем - это
(*ответ*) значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение высокого уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение низкого уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;меньшее значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в другое
nbsp;наивеличайшее значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в иное
Напряжение логической единицы интегральных схем - это
(*ответ*) значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение низкого уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение высочайшего уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;наименьшее значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в иное
nbsp;наибольшее значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Напряжение отпускания интегральных схем - это
(*ответ*) величайшее значение напряжения неизменного тока на входе, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в иное
nbsp;наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании оборотного тока
nbsp;меньшее значение напряжения неизменного тока на входе, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в другое
nbsp;меньшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электронных характеристик И