При поочередном доступе к памяти адрес записываемой или читаемой ячейки формируется

При поочередном доступе к памяти адресок записываемой либо читаемой ячейки формируется
(*ответ*) внутренними счетчиками схемы
nbsp;контроллером прямого доступа к памяти
nbsp;микропроцессором
nbsp;программным обеспечением
При программировании РПЗУ-ЭС употребляются напряжения около
(*ответ*) 20 В
nbsp;2 В
nbsp;10 мВ
nbsp;100 В
Работает в режиме конкретного размена с микропроцессором и по способности согласуется с ним по быстродействию память
(*ответ*) главная
nbsp;стековая
nbsp;циклическая
nbsp;кэш
Развитие структуры типа FPM, состоящее в фиксации строчки данных в статическом регистре, величается
(*ответ*) EDORAM
nbsp;SDRAM
nbsp;MDRAM
nbsp;BEDORAM
Регенерация данных употребляется для
(*ответ*) предотвращения утраты инфы вследствие перезаряда запоминающих конденсаторов токами утечки
nbsp;повышение частоты тактирования в тракте обработки
nbsp;работы в режиме оперативного размена данными с микропроцессором
nbsp;хранения копий инфы, применяемой в текущих операциях отмены с микропроцессора
Режим quot;считывание-модификация-записьquot; в динамических ЗУ используется для
(*ответ*) коррекции ошибок
nbsp;поблочного считывания/записи данных
nbsp;организации прямого доступа к памяти
nbsp;регенерации данных
Слова доступны одно за иным с неизменным периодом, определяемым емкостью памяти, в ЗУ
(*ответ*) повторяющихся
nbsp;FIFO
nbsp;файловых
nbsp;стековых
Служит для хранения копий инфы, применяемой в текущих операциях размена память
(*ответ*) кэш
nbsp;циклическая
nbsp;стековая
nbsp;главная
Статическое ОЗУ хранит свое состояние
(*ответ*) пока схема находится под питанием
nbsp;в течении нескольких лет после отключения питания
nbsp;в течении нескольких часов после отключения кормления
nbsp;всегда
СтратаФлэш - запоминающее устройство типа Флэш с
(*ответ*) запоминанием 2-ух битов в одном запоминающем элементе
nbsp;с симметричной блочной структурой
nbsp;с несимметричной блочной структурой
nbsp;одновременном стиранием всей информации
Структура динамической памяти, в которой используется увеличение быстродействия с помощью разбиения памяти на доли, что дозволяет обращаться к банкам попеременно, называется
(*ответ*) MDRAM
nbsp;EDORAM
nbsp;SDRAM
nbsp;BEDORAM
Структура ЗУ с двухкоординатной подборкой запоминающих частей на скрещении 2-ух линий подборки, возбуждаемых выходами двух дешифраторов адреса, называется
(*ответ*) 3D
nbsp;2M
nbsp;2DM
nbsp;2D