При больших частотах сигнала в транзисторе
(*ответ*) наблюдаются фазовые сдвиги между

При больших частотах сигнала в транзисторе
(*ответ*) наблюдаются фазовые сдвиги меж эмиттерным и коллекторным токами
nbsp;канал образуется под воздействием электрического поля
nbsp;значение синусоидального сигнала одинаково малому приращению постоянных сочиняющих тока
nbsp;значение синусоидального сигнала одинаково малому приращению неизменных сочиняющих напряжения
При неимении сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся в
(*ответ*) закрытом состоянии и не употребляют мощности от источника питания
nbsp;закрытом состоянии, но употребляют мощность от источника кормленья
nbsp;открытом состоянии и не употребляют мощности от источника кормленья
nbsp;открытом состоянии и употребляют мощность от источника питания
При прямом включении в p-n переходе
(*ответ*) потенциальный барьер убавляется на величину напряжения U
(*ответ*) дрейфовый поток убавляется
(*ответ*) диффузный увеличится
nbsp;возможный барьер возрастает на величину напряжения U
При тепловом пробое
(*ответ*) разрушается кристаллическая структура полупроводника
nbsp;р-n переход не разрушается и бережёт трудоспособность
nbsp;р-n переход не разрушается, но не бережёт трудоспособность
nbsp;р-n переход перестает работать до восстановления начального напряжения
При электронном пробое р-n переход
(*ответ*) не разрушается и хранит трудоспособность
nbsp;разрушается
nbsp;не разрушается, но не хранит трудоспособность
nbsp;перестает функционировать до восстановления начального напряжения
Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электронного пробоя при
(*ответ*) обратном напряжении напряжение изменяется некординально при значительном изменении тока
nbsp;прямом токе напряжение изменяется некординально при веском изменении этого тока
nbsp;прямом напряжении напряжение меняется некординально при малом изменении тока
nbsp;оборотном токе напряжение меняется незначительно при веском изменении тока
Пробоем перехода именуют резкое
(*ответ*) возрастание обратного тока даже при малозначительном увеличении оборотного напряжения сверх определенного значения
nbsp;падение оборотного тока даже при малозначительном увеличении оборотного напряжения сверх определенного значения
nbsp;возрастание прямого тока даже при малозначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
nbsp;падение прямого тока даже при незначительном увеличении оборотного напряжения сверх определенного значения
Проводимость полупроводников в значительной ступени зависит от
(*ответ*) наличия примесей
(*ответ*) температуры
nbsp;атмосферного давления
nbsp;состава атмосферы
Обычной светопровод выполняется в виде
(*ответ*) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
nbsp;открытого оптического канала в котором есть зазор меж излучателем и приемником для доступа снаружи
nbsp;материала, светопропускание которого меняется при наружных воздействиях
nbsp;эластичного волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на ином
Процесс происхожденья свободного электрона и дырки в полупроводнике величается
(*ответ*) генерацией
nbsp;рекомбинацией
nbsp;регенерацией
nbsp;ионизацией
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
(*ответ*) рекомбинацией
nbsp;генерацией
nbsp;регенерацией
nbsp;ионизацией
Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда
(*ответ*) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении
nbsp;оба p-n-перехода смещены в оборотном направлении
nbsp;один переход сдвинут в прямом направлении, а другой - в обратном
nbsp;в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в оборотном