А1. Схема рассредотачивания электронов по слоям в атоме хим элемента, образующего

А1. Схема рассредотачивания электронов по слоям в атоме химического элемента, образующего соединения, подходящие общим формулам ЭН2 и ЭО:
1) 2е, 8е, 4е. 2) 2е, 8е, 3е. 3) 2е, 8е, 2е. 4) 2е, 8е, 1е.

Задать свой вопрос
1 ответ
3) 2е, 8е, 2е
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Крейслер Андрей
у данного элемента валентность =2 значит и на заключительном уровне обязано быть 2 электрона
, оставишь ответ?
Имя:*
E-Mail:


Добро пожаловать!

Для того чтобы стать полноценным пользователем нашего портала, вам необходимо пройти регистрацию.
Зарегистрироваться
Создайте собственную учетную запить!

Пройти регистрацию
Авторизоваться
Уже зарегистрированны? А ну-ка живо авторизуйтесь!

Войти на сайт