Разъяснить механизм образования молекулы SiF4 и иона SiF62- .
Может

Электрическая конфигурация атома фтора:
9 F 1s2 2s2 2p5
Электрическая конфигурация атома кремния:
14 Si 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Графическая схема валентных орбиталей Si в невозбужденном состоянии:
3s2 [] 3p2 [] [] [ ] 3d0 [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
Электрическая конфигурация атома кремния в возбужденном состоянии:
14 Si* 1s2 2s2 2p6 3s1 3p3 , схема электронного строения его валентных орбиталей:
3s2 [] 3p2 [] [] [ ] 3d0 [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
4 неспаренных е- возбужденного атома Si* образуют 4 ков. связи по обыкновенному (обменному) механизму с атомами фтора, имеющими по 1 неспаренному е-, с образованием молекулы SiF4.

Для образования иона SiF6 2- к молекуле SiF4 обязаны присоединяться два иона F-.
Электрическая конфигурация иона фтора:
9 F- 1s2 2s2 2p6
т.е. все валентные е- которых спарены, потому связь появляется по донорно-акцепторному механизму за счет пары электронов каждого из ионов F- и двух вакантных 3d-орбиталей атома Si*.

Электрические конфигурации атома углерода:
6 С 1s2 2s2 2p2
6 С* 1s2 2s1 2p3 ,
потому он тоже может образовать 4 ков. связи с атомами фтора с получением молекулы CF4.
Однако, в отличие от SiF4, у углерода в молекуле CF4 нет незамещенных орбиталей на валентном уровне, нет неспаренных е- либо неподеленных пар е-, т.е. нет валентных способностей , и поэтому образование иона CF6 2- невозможно.