Растолкуйте принцип деяния полупроводникового диода.

Устройство данного элемента состоит всего из 2-ух слоев полупроводника, в роли которого часто используют германий либо кремний. 1-ый из них владеет электропроводимостью n-типа (негатив), а второй -электропроводимостью р-тина (позитив). На их границе появляется так называемый р-n-переход. При этом зона р выступает в качестве анода, а область п - в роли катода. Благодаря такому устройству полупроводниковый диод содержит в себе свободные частички обратных зарядов. В слое р имеются положительные ионы, которые именуют дырками, а в слое п - негативно заряженные свободные электроны. Если на катод подать плюс, а на анод минус. однополярные заряды станут отгалкивагься, на границе перехода меж зонами возникнет движение частиц и полупроводниковый диодик станет пропускать ток. Но стоит поменять полярность подключения, как ионы потянутся к минусу, а электроны будут дрейфовать к плюсу, и в итоге в р-п-переходе не окажется носителей зарядов. Всякое движение снутри такового элемента закончится, и электронный ток остановится. В этом состоянии полупроводниковый диодик закрыт.