Неупругое рассеяние лазерного излучения веществом может быть применено для его остывания

Неупругое рассеяние лазерного излучения веществом может быть использовано для его остывания этот метод получил заглавие лазерного антистоксового остывания. Способ основан на том, что поглощаемые и испускаемые потом фотоны имеют разную энергию.

За какое время Dt нанокристалл кремния радиусом r = 25 нм охладится на DT = 1о под воздействием направленных на него встречных лучей лазера с длиной волны l = 325 нм и суммарной интенсивностью I = 41 Вт/см2, если знаменито, что энергия оптического фонона в кремнии Eфон = 65 мэВ. Считать, что возможность поглощения фотонов нанокристаллами сочиняет p = 0.1 % и процесс происходит при температуре, недалёкой к комнатной

Задать свой вопрос
1 ответ
Так как форма нано-кристалла не дана, то мы дальше будем считать, что он представляет собой нечёткое пространственное пятнышко, напоминающее сферу. Так как, в случае его чёткой кубической формы, соотношение его объёма и площади поперечного сечения могут отличаться в 1.5 раза, то, таким образом, все отысканные величины, без учёта этой специфики будут иметь значительную погрешность, т.е. до 1.5 раз.

Раз кремний охлаждается, означает, испускаемые фотоны имеют более высшую энергию, чем поглощаемые, что может быть объяснено ограниченностью комплекта фото-квантов, которые может испускать атом.

Ещё одно важное замечание. Так как фотон с длиной волны:
 1 нм имеет энергию  1240 эВ, то фотон с энергией  65 эВ имеет длину волны  19 нм, что как раз хорошо бы подошло для этой задачки, так как длина волны испущенного фотона обязана быть меньше длины поглощённого. А вот если брать без поправки исходное данное в задачке значение  65 мэВ, т.е. в 1000 раз меньше, то длина волны получится  19 мкм  = 19 \ 0000 нм, что в  \approx 60 раз больше длины волны падающих фотонов лазера, а означает, энергия поглощалась бы кристаллом, и никакого антистоксового охлаждения бы не наблюдалось. Таким образом, в условии задачи необходимо сделать исправление:

энергия оптического фонона в кремнии  E_\varphi равна НЕ  65 мэВ, а просто  65 эВ !


Энергию, отнимаемую у вещества в таком одиночном процессе можно вычислить, как разность энергий испускаемого и поглощаемого  \gamma-кванта :

 \Delta E_o = E_\varphi - E_\lambda , где  E_\lambda энергия 1-го фотона поглощаемых лазерных лучей.

 E_\lambda = h \nu = h \cdot \fraccl = \frachcl , где  l длина волны лазерных лучей.


Мощность потока  P лазерного излучения, попадающего на кристалл, можно вычислить, как  P = I \cdot S = \pi I r^2 ;

Полное число фотонов  N , образующих этот поток за время  \Delta t , можно отыскать, как:  N = P \Delta t / E_\lambda = \frac \pi I  E_\lambda  \cdot r^2 \Delta t .

При этом число фотонов участвующих в процессе остывания составляет только малую часть от всего потока, так что, учитывая возможность поглощения  p , получим, что полное число фотонов  K , поглощаемых кремнием  K = pN = \frac \pi p I  E_\lambda  \cdot r^2 \Delta t .


Полную энергию  E , отнятую у нано-кристалла за время  \Delta t , можно отыскать, перемножив полное число процессов антистоксового пере-испускания, одинаковое числу поглощённых фотонов, на энергию, отнимаемую у вещества в одиночном процессе пере-испускания:

 E = K \cdot \Delta E_o = \frac \pi p I  E_\lambda  \cdot r^2 \Delta t \cdot ( E_\varphi - E_\lambda ) =

 = \pi p I r^2 \Delta t \cdot ( E_\varphi / E_\lambda - 1 ) = \pi p I r^2 \Delta t \cdot ( \fraclhc \cdot E_\varphi - 1 ) .

Учтём, что:  E_\varphi = U_eB \cdot e , тогда:  E = \pi p I r^2 \Delta t \cdot ( \fracelhc \cdot U_eB - 1 ) .


С иной стороны полную энергию  E , отнятую у нано-кристалла за время  \Delta t , можно найти через:

молярную теплоёмкость  c_\mu \approx 20 Дж/(Kмоль) кремния,
его массу  m , молярную массу  \mu \approx 0.028 кг/моль,
плотность  \rho \approx 2 \ 330 кг/м и объём  V , как:

 E = \fracm\mu c_\mu \Delta T = \frac\rho V\mu c_\mu \Delta T = \frac 4 \pi 3 \frac \rho r^3 \muc_\mu \Delta T .


Приравняв эти два выражения для отнятой у нано-кристалла кремния энергии, получим:

 \pi p I r^2 \Delta t \cdot ( \fracelhc \cdot U_eB - 1 ) = \frac 4 \pi 3 \frac \rho r^3 \mu c_\mu \Delta T ;

 p I \Delta t \cdot ( \fracelhc \cdot U_eB - 1 ) = \frac 4 \rho r  3 \mu  c_\mu \Delta T ;

 \Delta t = \frac 4 c_\mu \rho r \Delta T  3 p I \mu ( \fracelhc \cdot U_eB - 1 )  ;

 I = 41 Вт/см  = 41 Вт/(10^-2м)^2 = 41 Вт/(10^-4м) = 41 \cdot 10^4 Вт/м .

 \Delta t \approx \frac 4 \cdot 20 \cdot 2330 \cdot 25 \cdot 10^-9 \cdot 1  3 \cdot 0.001 \cdot 41 \cdot 10^4 \cdot ( \frac 1.6 \cdot 10^-19 \cdot 325 \cdot 10^-9  6.626 \cdot 10^-34 \cdot 3 \cdot 10^8  \cdot 65 - 1 )  сек  \approx

 \approx \frac 4660 \cdot 10^-6  1230 \cdot ( \frac 520 \cdot 10^-28  20 \cdot 10^-26  \cdot 65 - 1 )  сек  = \frac 4660 \cdot 10^-6  1230 \cdot ( 26 \cdot 10^-2 \cdot 65 - 1 )  сек  =

 = \frac 4660 \cdot 10^-6  1230 \cdot ( 16.9 - 1 )  сек  = \frac 4660  123 \cdot 159  \cdot 10^-6 сек  \approx 0.24 мс .



О т в е т :  \Delta t \approx 0.24 мс
, оставишь ответ?
Имя:*
E-Mail:


Добро пожаловать!

Для того чтобы стать полноценным пользователем нашего портала, вам необходимо пройти регистрацию.
Зарегистрироваться
Создайте собственную учетную запить!

Пройти регистрацию
Авторизоваться
Уже зарегистрированны? А ну-ка живо авторизуйтесь!

Войти на сайт