Диффузионным током является перемещение
(*ответ*) основных носителей заряда через р-n переход

Диффузионным током является перемещение
(*ответ*) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода
nbsp;неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода
nbsp;главных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода
nbsp;неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода
Диффузия дырок из слоя р в слой n имеет место в
(*ответ*) контактирующих слоях полупроводника
nbsp;неконтактирующих слоях полупроводника
nbsp;контактирующих слоях проводника
nbsp;выпрямляющем электрическом переходе
Диффузия электронов из слоя n в слой р имеет место в
(*ответ*) контактирующих слоях полупроводника
nbsp;неконтактирующих слоях полупроводника
nbsp;контактирующих слоях проводника
nbsp;выпрямляющем электронном переходе
Для полевого транзистора выделяют схемы включения с общим(ей)
(*ответ*) затвором
(*ответ*) истоком
(*ответ*) стоком
nbsp;базой
Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании берется исходный материал с
(*ответ*) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
nbsp;огромным временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
nbsp;малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью
nbsp;большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью
Для убавления обратного тока в полупроводниках нужно снижать
(*ответ*) концентрацию примесей
nbsp;напряжение источников кормленья
nbsp;диффузную емкость
nbsp;размеры полупроводника
Для участка вольт-амперной свойства p-n-перехода, подходящего пробою, отличительно
(*ответ*) малозначительное повышение оборотного напряжения при резком увеличении обратного тока
nbsp;веское увеличение оборотного напряжения при незначительном увеличении оборотного тока
nbsp;малозначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока
nbsp;веское повышение прямого напряжения при малозначительном увеличении прямого тока
Дрейфовым током является перемещение
(*ответ*) одновременно с главными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
nbsp;одновременно с главными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода
nbsp;неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
nbsp;основных носителей против поля р-n перехода
Если отрезок медли, в течение которого диодик находится в режиме лавинного пробоя, велик, то
(*ответ*) лавинный пробой перейдет в тепловой
nbsp;лавинный пробой перейдет в туннельный
nbsp;резко убавляется удельная проводимость р-n-перехода
nbsp;резко возрастет прямое напряжения на переходе
Если отрезок медли, в течение которого диодик находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то
(*ответ*) его p-n-переход не успевает перегреться, и диодик не выходит из строя
nbsp;участок электрического пробоя фактически отсутствует
nbsp;диффузионная емкость перехода одинакова нулю
nbsp;процесс рекомбинации замедлен
Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике именуют _ чертой p-n-перехода
(*ответ*) вольт-амперной
nbsp;вебер-амперной
nbsp;кулон-вольтной
nbsp;внешней
Затвором именуют
(*ответ*) общий электрод от контактов областей
nbsp;контакт, через который носители заряда вытекают
nbsp;контакт, через который носители заряда входят в канал
nbsp;часть объема пластинки полупроводника, расположенная меж p-n-переходами
Зоной проводимости величается свободная зона, в которой
(*ответ*) при температуре 0 К электронов нет, а при более высочайшей - могут в ней быть
nbsp;электронов нет ни при каких температурных критериях
nbsp;электроны находятся всегда
nbsp;при обычных критериях электронов нет