Основная необыкновенность полупроводников - это
(*ответ*) возрастание удельной электронной проводимости при

Главная необыкновенность полупроводников - это
(*ответ*) возрастание удельной электронной проводимости при повышении температуры
nbsp;возрастание удельной электронной проводимости при понижении температуры
nbsp;понижение удельной электрической проводимости при повышении температуры
nbsp;независимость удельной электронной проводимости от температуры
Характеристики, описывающие характеристики полевого транзистора усиливать напряжение, последующие
(*ответ*) крутизна стокозатворной характеристики
(*ответ*) внутреннее дифференциальное сопротивление
(*ответ*) коэффициент усиления
nbsp;барьерная емкость р-n перехода
Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
(*ответ*) на базе толстопленочной технологии
(*ответ*) на базе тонкопленочной технологии
nbsp;по полупроводниковой технологии и устанавливаются на поверхность полупроводниковой подложки
nbsp;как вакуумные микродиодные и триодные структуры
По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
(*ответ*) тепловые
(*ответ*) фотоэлектрические
nbsp;электрические управляемые приборы для систем зрительного отображения инфы
nbsp;содержащие эластичный волоконно-оптический световод в виде кабеля
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы
(*ответ*) усилительные свойства которых обоснованы потоком главных носителей, управляемым электронным полем
nbsp;с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три либо более p-n переходов
nbsp;с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
nbsp;усилительные характеристики которых обусловлены потоком главных носителей, управляемым током
Полевые транзисторы могут работать при температурах
(*ответ*) недалёких к абсолютному нулю
nbsp;до 200 С
nbsp;от 200 С до 300 С
nbsp;от 100 С до 400 С
Полевые транзисторы предусмотрены для
(*ответ*) усиления мощности и преображенья электронных колебаний
nbsp;усилительных устройств, для малых переменных токов
nbsp;усиления на больших и сверх больших частотах
nbsp;импульсных переключающих устройств
Полупроводниковый диодик - это полупроводниковый устройство с
(*ответ*) одним электронным переходом и двумя омическими контактами с 2-мя выводами
nbsp;одним электронным переходом и омическим контактом с 2-мя выводами
nbsp;2-мя электронными переходами, 2-мя омическими контактами с 2-мя выводами
nbsp;одним электронным переходом и омическим контактом и 3-мя выводами
Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем - это
(*ответ*) наибольшее значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в иное
nbsp;наименьшее значение высочайшего уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в иное
nbsp;значение высочайшего уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение низкого уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение высочайшего уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем - это
(*ответ*) меньшее значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из 1-го устойчивого состояния в другое
nbsp;значение высокого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение низкого уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики и значение высочайшего уровня напряжения для quot;отрицательнойquot; логики
nbsp;величайшее значение низкого уровня напряжения для quot;положительнойquot; логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в иное
Представляют собой оконченное микроэлектронное устройство, способное исполнять функции аппаратуры, _ интегральные схемы
(*ответ*) сверхбольшие
nbsp;малые
nbsp;средние
nbsp;огромные